「研究用原子炉による半導体の研究」短期研究会報告

開催日：1985年1月21日-22日　(January 21-22, 1985)
編集：木村逸郎

目次

緒言 / 大泊巌  /p.1

原子炉中性子場と半導体 / 木村逸郎  /p.2

半導体構造解析の可能性 / 大泊巌  /p.10

半導体研究の立場からみた構造解析の必要性 / 渋谷 巌  /p.11

放射化分析匠よる半導体中の不純物の分析 / 小山睦夫  /p.12

固体飛跡検出法によるゲート電極材料中のウラン微量分析 / 鶴田隆雄  /p.14

有機半導体中の不純物分析— 放射化分析による不純物の分析 / 白川英樹 ほか  /p.16

熱処理用保護膜付着時におけるGaAsにイオン注入されたCdの電気的活性化と再分布 / 横田勝弘  /p.18

半導体材料中の不純物原子の濃度分布 / 大泊巌  /p.23

シリコン転換ドーピングの現状と問題点 / 滝口蓮一  /p.27

原研研究炉におけるシリコンドーピング技術の開発 / 梅井弘  /p.31

NTD シリコンを用いた放射線検出器 / 白石文夫、金致浩  /p.38

NTD-GaAsにおける放射線損偏とドーピング効果

(1)矢萩正人ほか  /p.44

(2)川久保鐵哉 ほか  /p.48

半導体の格子欠陥 〔化合物半導体の電気特性への影響〕/ 北川通治  /p.50

半導体デバイスの放射線損傷 / 飯田敏行  /p.55

LSIの放射線損傷 / 塩野登ほか  /p.60

耐環境強化素子研究の現状と将来 / 後川昭雄  /p.64

あとがき / 木村逸郎  /p.67

研究会出席者のリスト  /p.68