「研究用原子炉による半導体研究」専門研究会報告
PROCEEDINGS OF THE SPECIALIST RESEARCH MEETINGS ON SEMICONDUCTORS WITH RESEARCH REACTORS

開催日：1988年12月12日-13日　(December 12-13 1988)
編集：西田良男、川久保鐵哉
Edited by： YOSHIO NISHIDA and TETSUYA KAWAKUBO

目次

緒言 / 西田良男

1. シリコンの(D, T)反応中性子による照射欠陥 /（阪大基礎工）大嶋隆一郎  /p.1
2. Si中の照射欠陥 /（鳴門教育大）福岡登  /p.4
3. Si中の不純物拡散と点欠陥 /（九州芸工大）吉田正幸  /p.8
4. 化合物半導体の深い準位の電子格子相互作用/（阪市大工）森雄造  /p.18
5. 半導体の電子一正孔再結合に伴う格子緩和/（名大理）谷村克己、杉山寿伸、伊藤憲昭  /p.20
6. GaPの中性子照射 /（京大原子炉）川久保鐵哉  /p.24
7. Ⅱ-V1 化合物の照射効果と物性/（鳥取大工）松浦興一  /p.29
8. 光励起F中心の動的緩和過程/（阪市大工）大倉煕  /p.35
9. アルカリハライドの固有発光とSTE(self-trapped exciton)のオフセンター構造/（京大理）神野賢一、中井祥夫  /p.41
10. MgOの照射効果と光物性/（京大原子炉）岡田守民  /p.47
11. アルミ化合物の照射効果/（鳴門教育大） 跡部紘三  /p.55
12. 人工ダイヤのカラーセンターの光励起緩和過程とオプトエレクトロニックスヘの応用/ （阪大基礎工）西田良男  /p.59
13. ダイヤモンドの高圧合成とカラーセンター /（住友電工）矢津修示  /p. 68
14. CVDダイヤモンドの研究と現状/（無機材研）佐藤洋一郎  /p.75
15. 広面積ダイヤモンド薄膜の物性/（阪大工）平木昭夫  /p.80
16. SiCの研究の現状/（シャープ中央） 鈴木彰  /p.87
17. BNの光物性/（無機材研）江良皓  /p.93
18. BNの薄膜の製作と特性/（大工試）佐藤守  /p.101
19. ガラスファイバーの放射線効果/（東北大工）鈴木吉朗、平井正光  /p.105
20. 石英ガラスの放射線効果/（大工試） 山下博志  /p.110
21. ジアセチレンの照射効果と相転移/（京大原子炉）松山奉史  /p.116