「研究炉による半導体研究」専門研究会報告
PROCEEDINGS OF THE SPECIALIST RESEARCH MEETINGS ON SEMICONDUCTORS WITH RESEARCH REACTORS

開催日：1986年7月21日、12月15日　(July 21, December 15, 1986)
編集：川久保鐵哉、木村逸郎
Edited by：TETSUYA KAWA KUBO and ITSURO KIMURA

目次

緒言 / 大泊巌

1. 単原子制御結晶技術の可能性とスーパーアトム/（日本電気基礎研）渡辺久恒  /p.1
2. シリサイド形成過程でのシリコン中の不純物の再分布/（早大・理工）大泊巌  /p.4
3. 自然酸化膜をもつシリコンにイオン注入された砒素原子のシリコン表面へのパイルアップ現象/（関西大・エ）横田勝弘  /p.14
4. シリコンの構造の異常/（九大・理）岡崎篤  /p.19
5. 中性子小角散乱法を用いた2,3の研究/（京大炉）小野正義  /p.21
6. 中性子小角散乱法によるCZ法シリコン結晶中の酸化物析出過程の研究/（広大・総合科学）武田隆義  /p.26
7. 陽電子消滅を用いた高速堆積a-Si:Hの評価/（広大・工）井村健、那須弘行、静間清、大坂之雄、葉佐井博已  /p.32
8. RTPアニールによるNTDーシリコン単結晶の電気的性質/（名工大）宇佐美晶  /p.38
9. NTD－シリコンウエハーのキャリアライフタイムと移動度の熱処理特性 /（千葉工大）前川隆雄  /p.41
10. 中性子転換注入GaAsの高速中性子の影響/（法大・工）栗山一男  /p.46
11. 半導体素子の中性子照射損傷/（阪大・工）飯田敏行  /p.53