「研究用原子炉による半導体研究」専門研究会報告
PROCEEDINGS OF THE SPECIALIST RESEARCH MEETINGS ON SEMICONDUCTORS WITH RESEARCH REACTORS

開催日：1987年7月27日、1988年1月18日　(July 27, 1987・January 18, 1988)
編集：川久保鐵哉
Edited by：TETSUYA KAWAKUBO

目次

緒言 / 横田勝弘

1. Si中の微量不純物（約30元索）の中性子放射化分析法による定性と定量/（京大炉）武内孝之、中野幸廣   /p.1
2. Si中の酵素、炭素の赤外吸収法による定量分析/（富士通研究所）本田耕一郎、大沢昭、豊蔵信夫  /p. 9
3. 軽元素の荷電粒子放射化分析/（日本分析センター）福島浩人  /p.16
4. IMA(SIMS)法による半導体中の不純物の分析/（三菱電機LSI研究所） 小守純子、益子洋治、小山浩  /p.20
5. 原子吸光分析法による半導体中の微星不純物元素の測定/（関西大工）横田勝弘、稲野滋、大槻浩一、片山佐一  /p.30
6. イオンピーム応用研究の動向（早大理工）大泊巌  /p.36
7. MeV領域に於けるイオンビームの応用…（筑波大・物質）升田公三  /p.40
8. 集束イオンビーム加工/（阪大・基礎工）蒲生健次  /p.44
9. 低エネルギーイオンシャワーによる不純物ドーピング及びデバイスヘの応用/（松下中研）吉田哲久、瀬恒謙太郎、平尾孝  /p.49
10. 数百eV以下のイオンピームの応用一薄膜形成への利用/（京大・工）石川順三  /p.54
11. タイプIB合成ダイヤモンドのカラーセンターの生成 /（阪大・基礎工）西田良男  /p.60
12. 半導体研究のための原子炉中性子利用技術一現状と将来への課題/（京大炉）木村逸郎  /p.67