高機能中性子鏡製造装置(IBS/LVE)

１．概要
高性能中性子鏡製造装置はイオンビームスパッタ装置(IBS)及び大面積蒸着装置（LVE)の2台で構成される。IBSは高品質・極博多層薄膜を製造することができ、世界最高反射角のワイドバンド中性子多層膜モノクロメータや曲面のスーパーミラー等の製作実績がある。LVEは電子ビームによる蒸着装置であり、世界最初の本格的なスーパーミラー導管(KUR B-4)建設に利用された。現在は中性子ミラーよりも希少試料をはじめとする汎用大面積製膜としての利用が多い。

２．特性
● ターゲット数 IBS:6　LVE:4
● 製作可能最薄層厚※
　IBS 1nm程度以上 50μm程度以下
　LVE 5nm程度以上 2μm程度以下
● 成膜可能エリア※　
　IBS φ500mm以内
　LVE φ800mm 程度以下
　(100✕350mm)基板8枚セット可能
● 事前準備（真空引き）12時間以上は必要。
● その他：磁場中蒸着（スパッタ）可能。
※あくまで目安。これらは物質や成膜条件に大きく依存する。

３．設置場所
パルス中性子実験室

４．提出書類
出張・実験実施計画書

５．装置担当者、連絡先
日野正裕　hino.masahiro.2x*kyoto-u.ac.jp（*→@）